机译:臭氧基原子层沉积生长的VO_2薄膜中的半导体-金属跃迁
机译:等离子增强原子层沉积生长的ZnO薄膜:“原子层沉积窗口”内外的材料特性
机译:通过原子层沉积生长的VO_2薄层的结晶和半导体金属转换行为
机译:使用三(二甲基氨基)硅烷(TDMAS)和臭氧通过原子层沉积法生长的超薄SiO_2薄膜
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:通过臭氧基原子层沉积生长的薄VO2薄膜中的半导体 - 金属转变
机译:等离子体增强原子层沉积ag薄膜的类似等离子体行为。